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汉钟真空泵在半导体去胶机应用
半导体去胶机是在经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。
干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例,硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应,生成的气态的CO,CO2和H2O可以由真空系统抽走,真空为无油螺杆真空泵,极限真空到0.1pa.相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好,但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题,因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。
汉钟IPH系列真空泵,极限真空泵0.1pa,体积小,功率小,抽数大。是半导体去胶机完美选择。