高效HJT 电池

高效HJT 电池

HJT电池是一种可以低成本实现的高效晶体硅太阳能电池。该电池是以高寿命的n型硅为衬底，在经过制绒清洗的硅片正面依次沉积本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜，从而形成p-n异质结。在硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜形成背表面场。然后在掺杂的非晶硅薄膜的两侧沉积透明导电氧化物薄膜，最后通过丝网印刷技术在两侧形成金属电极，形成具有对称结构的HJT太阳能电池，该电池结构具有工艺步骤少、制程温度低、无LID与PID效应、温度系数低、效率高等优点，目前效率最高记录已达26.33%。

HJT电池的结构和工艺与常规硅基太阳电池有很大的区别，总的来说，HJT太阳电池具有如下特点:

(1)结构对称

(2)低温制造工艺

(3)高开路电压

(4)温度特性好

(5)无LID与PID效应

HJT电池也存在一定的问题，例如：

(1)设备投资高，由于采用了薄膜沉积技术，需要用到高要求的真空设备；

(2)工艺要求严格，获得低界面态的非晶硅/晶体硅界面，对工艺环境和操作要求也比较高；

(3)透明导电薄膜一般为氧化铟掺杂金属氧化物成本偏高，低温银浆电阻率偏高导致银浆单耗居高不下；

(4)需要低温组件封装工艺，由于HJT电池的低温工艺特性，不能采用传统晶体硅电池后续高温封装工艺，需要开发适合的低温封装工艺。

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